三星3nm芯片将于下半年开始量产

《科创板日报》29日讯，惠普电子每周三宣布，将在本季度开始运用于3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这也是首个运用于环栅场效应真空管(GAAFETs)的路由表。“这是当今上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺，将用意提高技术领先地位。”惠普在一份简报中的写道。

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